二極管的伏安特性是指二極管在不同電壓下的電流-電壓關(guān)系。
當(dāng)二極管正向偏置（即陽(yáng)極接正電壓，陰極接負(fù)電壓）時(shí)，隨著電壓的增加，電流也會(huì)增加。正向特性的主要特點(diǎn)：在正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓后，電流迅速增加。
死區(qū)電壓（Vth）：在正向電壓較小時(shí)，二極管的電流非常小，幾乎為零。這個(gè)電壓稱為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓。硅二極管典型的死區(qū)電壓約為0.6~0.7V；鍺二極管約為0.2~0.3V。
正向?qū)ǎ?/span>當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓后，二極管開(kāi)始導(dǎo)通，電流迅速增加。此時(shí)，二極管的電壓降保持在一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的值（硅二極管約為0.7V，鍺二極管約為0.3V）。
當(dāng)二極管反向偏置（即陽(yáng)極接負(fù)電壓，陰極接正電壓）時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，只有很小的反向飽和電流。反向特性的主要特點(diǎn)：反向電壓較小時(shí)，電流幾乎為常數(shù)（反向飽和電流）。當(dāng)反向電壓超過(guò)擊穿電壓時(shí)，電流急劇增加。
反向飽和電流（Is）：在反向電壓較小時(shí)，二極管的反向電流非常小，幾乎為常數(shù)。反向飽和電流的大小通常在幾皮安到幾微安之間。
擊穿電壓（VBR）：當(dāng)反向電壓超過(guò)一定值時(shí)，二極管會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，反向電流急劇增加。擊穿電壓取決于二極管的材料和結(jié)構(gòu)，通常在幾十伏到幾百伏之間。
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