半導體器件（尤其是二極管）在反向偏置條件下會發(fā)生三種不同類型的擊穿現(xiàn)象，齊納擊穿、雪崩擊穿和熱電擊穿。
齊納擊穿：當施加于PN結上的反向電壓達到某個特定值時，強電場作用下電子從價帶直接躍遷到導帶，導致電流急劇增加。主要發(fā)生在相對較低的電壓范圍內，摻雜濃度非常高的PN結中。齊納二極管利用這一原理，常用于穩(wěn)壓電路。
雪崩擊穿：當PN結承受足夠大的反向電壓時，自由載流子（電子-空穴對）在強電場作用下加速運動，并通過碰撞產生更多的自由載流子，從而形成連鎖反應。相對于齊納擊穿，它需要更高的臨界電壓，擊穿過程中伴隨有明顯的溫度升高。
理論上任何二極管都可能發(fā)生雪崩擊穿，某些情況下會被設計用來保護電路免受過電壓損害。
熱電擊穿：當半導體材料內部因局部過熱而引發(fā)不可逆損傷或永久性破壞?？赡苁情L時間處于超過額定條件下的工作狀態(tài)等引起。一旦發(fā)生，器件往往會完全失效。
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